收藏本站
New Product
SiA811DJ
Vishay Siliconix
MOSFET TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
8
6
4
2
0
Package Limited
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*
T C - Case Temperature (°C)
Power Derating
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
www.vishay.com
6
Document Number: 74460
S-80436-Rev. B, 03-Mar-08
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIA814DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
SIA911EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
SIA914DJ-T1-GE3 MOSFET DL N-CH 20V PPAK SC70-6
SIA917DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
SIB406EDK-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6
SIB408DK-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L
SIB412DK-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
SIB413DK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
相关代理商/技术参数
SIA813DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 6.5W 94mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA814DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Trench Schottky Diode
SIA814DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 4.5A 6.5W 61mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SiA817EDJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET -30V .065Ohm@10V 4.5A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA850DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 190V 0.95A 7.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI-A8W031180EU 制造商:Samsung 功能描述:Bulk
SI-A8W032180EU 制造商:Samsung 功能描述:Bulk
SI-A8W041140EU 制造商:Samsung 功能描述:Bulk